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韓國首爾2026年3月11日 /美通社/ -- 韓國8英寸純晶圓代工廠SK keyfoundry宣布，公司近期已完成SiC（碳化硅）平面MOSFET工藝平臺的開發(fā)。當(dāng)前，該平臺在新一代化合物功率半導(dǎo)體市場中正備受青睞。公司還透露，已獲得一家新客戶的1200V SiC MOSFET產(chǎn)品開發(fā)訂單，這標(biāo)志著其全面啟動SiC化合物半導(dǎo)體代工業(yè)務(wù)。
SK keyfoundry推出的全新SiC平面MOSFET工藝平臺支持450V至2300V的寬電壓范圍。該平臺已在高壓工作環(huán)境下獲得了高可靠性與穩(wěn)定性數(shù)據(jù)，證明了其卓越性能。此外，通過全面優(yōu)化工藝流程并實現(xiàn)對核心制程的精準(zhǔn)管控，公司已將產(chǎn)品良率提升至90%以上，同時提高了生產(chǎn)效率。SK keyfoundry還表示，公司提供差異化的"定制化工藝支持服務(wù)"，能夠根據(jù)客戶的特定需求微調(diào)電氣特性與規(guī)格參數(shù)。
隨著該工藝平臺開發(fā)的完成，SK keyfoundry已獲得一家專注于SiC設(shè)計的客戶的1200V高壓產(chǎn)品訂單，并啟動了產(chǎn)品開發(fā)工作。該工藝將應(yīng)用于客戶的工業(yè)設(shè)備，在熱效率管理方面發(fā)揮關(guān)鍵作用。完成樣片評估和可靠性驗證后，公司計劃于2027年上半年啟動全面量產(chǎn)。
此次SiC平面MOSFET工藝平臺的開發(fā)，是SK keyfoundry收購SiC專業(yè)公司SK powertech后，整合雙方核心能力的首個成果。技術(shù)研發(fā)完成后隨即獲得實際客戶訂單，也印證了該平臺已跨越技術(shù)驗證階段，具備了可立即投入商業(yè)化的成熟度與競爭力。
SK keyfoundry首席執(zhí)行官Derek D. Lee表示："SiC平面MOSFET工藝平臺的開發(fā)，標(biāo)志著SK keyfoundry已在全球化合物半導(dǎo)體市場確立了獨立的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位。依托我們兼具高良率與高可靠性的差異化工藝，我們將持續(xù)拓展高壓功率半導(dǎo)體解決方案，以滿足國內(nèi)外客戶的需求。"
